的项目背景图 某特大型半导体设备开发中小型品牌坐落在苏南型区域，关键构成晶圆和集成电路芯片。在构成步骤中，晶圆打磨和打蜡 过程构成巨大研磨抛光液废水清理方法，单日废气消耗量上涨约50吨。根据废水清理方法中具有高盐浓度悬浮按钮物、铝合金铁离子及有机的移除剂，一直废气排出会对情况构成较为严重的影响，中小型品牌急要施工正规清理配制。 污水部分及来自 碾磨液废污水最主要因素于晶圆手工加工中的化学反应设备镜面抛光（CMP）道工序，最主要空气环境有害特性包扩： 透明桌面小粒物 ：二腐蚀硅、腐蚀铝等抛光粒子，孔径在0.1-1μm，含量多达2000mg/L。 金属制亚铁离子 ：铜、铁、锌等，来自于镜面抛光垫磨损情况及晶圆漆层塑料层，铜阴离子密度约50mg/L。 有机的调用剂 ：属于单单从表面渗透性剂、缓蚀阻垢剂等，COD值在800-1200mg/L。 碱酸性类物质 ：pH值下跌大，一般性在2-11之前。 工作工艺工艺程序工艺程序 共性污水形态，分为“预加工+生化模式+深入加工”組合加工： 调接池 ：均等化饮用水需水量，获取酸碱度设定pH至比较适中。 混疑水解 ：污泥脱水PAC（聚合反应氯化铝）和PAM（PP酰胺），清理悬浮按钮物和溶液，沉降后SS清理率>90%。 催化反应空气氧化 ：运用Fenton化学试剂（H₂O₂+Fe²⁺）降解塑料有机的加剂，COD快速清理率达60%。 生物工程净化处理 ：MBR膜微生物作用器进步分解余下充分物，COD高于100mg/L下。 化合物调换 ：专业级光敏树脂吸附性铜化合物，出水出水铜含铁<0.5mg/L。 砂滤+亲水性炭过滤清洁 ：保证出水量清新，达到《污水处理融合排污规则》（GB8978-1996）1阶段规则。 决定效果好 模式工作固定后： SS<10mg/L，COD<60mg/L，铜阴阳离子<0.3mg/L。 回收率达40%，剩下的未环保达标口，年增多污废水 排放口口1.八万吨。 整理直接费用约15元/吨，远少于企业月均。